南开大学 · 半导体物理
交互式仿真模块合集
预测 → 观察 → 解释（POE）教学循环 · 第6–8章
第六章 · pn结
§6.1
pn结及其能带图
pn结形成过程：电荷密度 / 电场 / 电势 / 能带 / 载流子浓度 五视图 + 形成过程动画
§6.2（上）
偏压下的pn结
正偏 / 反偏能带图与少数载流子分布
§6.2（下）
pn结电流电压特性
I-V特性曲线、扩散电流与温度影响
§6.3
pn结电容
势垒电容与扩散电容、C-V特性
§6.4
pn结击穿
雪崩击穿与齐纳击穿机制对比
§6.5
pn结隧道效应
隧道二极管工作原理与负阻特性
第七章 · 金属半导体接触
§7.1
金属半导体接触及其能级图
肖特基接触与欧姆接触能级图
§7.2
扩散理论与热电子发射理论
整流接触的输运机制
§7.3
少数载流子的注入和欧姆接触
欧姆接触的形成与少子注入
第八章 · MIS结构与半导体表面
§8.1
表面态与MIS结构
表面态与能带弯曲
§8.2
表面空间电荷层
表面空间电荷层与积累 / 耗尽 / 反型
§8.3
MIS结构C-V特性
高频 / 低频C-V曲线
§8.4
硅-二氧化硅系统的性质
界面态与氧化物电荷
§8.5
表面电导及迁移率
表面电导与迁移率随栅压变化